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有研億金超高純鎳鉑靶、钴靶亮相“慶祝改革開放40周年大型展覽”

有研億金超高純鎳鉑靶、钴靶亮相“慶祝改革開放40周年大型展覽”

來源:
有研億金
2018/12/07
浏覽量

2018年11月初,在國家博物館舉行的“偉大的變革——慶祝改革開放40周年大型展覽”上,受國家重點研發計劃“重點基礎材料技術提升與産業化”重點專項支持、有研億金“大規格稀有/稀貴金屬靶材制造技術”項目研發的12英寸超高純NiPt靶、12英寸超高純Co靶精彩亮相,标志着我國在集成電路用關鍵基礎材料領域通過自主研發取得了重大突破。

 

在半導體器件中,具有鐵磁性的NiPt合金靶材和Co靶材是制備肖特基二極管和大規模集成電路接觸層的理想材料,但是由于超高純的NiPt合金和Co原材料難以制備,以及材料本身具有的磁性影響靶材的磁控濺射性能,這兩種靶材制備的難度極大,國際上長期以來隻有日本一家公司能夠制備大尺寸高透磁率超高純NiPt靶和Co靶。

 

在國家重點研發計劃“重點基礎材料技術提升與産業化”重點專項的支持下,有研億金新材料有限公司成功攻克了大尺寸鐵磁性靶材制備中的超高純熔鑄、成分及微觀組織均勻控制、磁性能協同調控、異質金屬高可靠大面積焊接、精密加工與表面處理等多個關鍵技術,研制出深納米集成電路芯片制備用的高透磁率12英寸超高純NiPt靶和12英寸超高純Co靶,透磁率分别達到20%和70%以上,産品已通過多家國際知名半導體廠商的驗證,打破了國外在該領域的壟斷。該項成果的取得,對于提升我國電子信息産業關鍵基礎材料的自主供應和集成電路産業的核心競争力具有重要意義。

 

展覽現場

 

12英寸Co靶

 

12英寸NiPt靶

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